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어플라이드 머티어리얼즈-베시, AI 스케일링 위한 차세대 패키징 전략적 파트너십 확대

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전 세계 첨단 반도체 및 디스플레이를 위한 재료공학 솔루션 선도 기업 어플라이드 머티어리얼즈(www.appliedmaterials.com/ko)는 베시(Besi, BE 세미컨덕터 인더스트리스)와의 전략적 파트너십 확대를 발표했다. 이번 파트너십 확대에 따라 베시는 어플라이드 EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization) 센터에 혁신 파트너로 합류한다.

어플라이드 머티어리얼즈-베시, AI 스케일링 위한 차세대 패키징 전략적 파트너십 확대
어플라이드 머티어리얼즈-베시, AI 스케일링 위한 차세대 패키징 전략적 파트너십 확대
이번 협력은 2020년 시작된 양사 공동 개발 프로그램의 연장선이다. 양사는 하이브리드 본딩을 넘어 반도체 업계의 AI 스케일링 로드맵을 지원하는 새로운 인터커넥트 아키텍처와 애플리케이션으로 공동 혁신의 범위를 넓힌다.

AI 인프라 구축이 가속화되면서 더 높은 집적도와 대역폭을 갖춘 칩 투 칩(chip-to-chip), 칩 투 패키지(chip-to-package) 인터커넥트 수요가 증가하고 있다. 양사는 이번 파트너십 확대를 통해 웨이퍼 레벨 하이브리드 본딩부터 패널 규모 집적까지 첨단 패키징 전체 플로우를 아우르는 공정 및 조립 솔루션을 공동 최적화한다. 양사는 고객이 이를 보다 이른 시점에 활용할 수 있도록 하는 것을 목표로 한다.

어플라이드와 베시는 2020년 싱가포르에 위치한 어플라이드 첨단 패키징 개발 센터에 공동 CoE(Center of Excellence)를 설립했다. 이 센터에서 식각, 평탄화, 증착, 웨이퍼 세정, 계측, 검사, 파티클 결함 제어 분야의 어플라이드 공정 전문성과 베시의 다이 배치, 인터커넥트, 조립 기술을 결합했다. 이 협력의 결과로 양사는 업계 최초의 다이 투 웨이퍼(die-to-wafer) 하이브리드 본딩 통합 시스템 ‘Kinex™(키넥스)’를 개발했다.

게리 디커슨(Gary Dickerson) 어플라이드 머티어리얼즈 회장 겸 CEO는 “베시는 차세대 하이브리드 본딩 솔루션을 공동 개발하기 시작한 이래 오랜 기간 신뢰를 쌓아온 파트너”라며 “베시가 EPIC 센터의 혁신 파트너로 합류함에 따라 고객이 AI 시스템을 확장하는 데 필요한 인터커넥트 기술 전반으로 협력을 넓히게 됐다. 어플라이드 EPIC 센터에서 이 협력을 추진함으로써 양사는 기술 로드맵의 방향성을 보다 조기에 파악하고 패키징 전체 플로우를 공동 최적화할 수 있을 것”이라고 밝혔다.

리처드 블릭먼(Richard Blickman) 베시 CEO 겸 경영이사회 의장은 “싱가포르에서 어플라이드와 함께 운영해 온 CoE는 베시의 하이브리드 본딩 로드맵의 토대가 됐다”며 “어플라이드 EPIC 센터에 혁신 파트너로 합류하는 것은 자연스러운 다음 단계다. 베시는 선도적인 로직·메모리·시스템 기업들과 열압착 본딩(TCB) 스케일링, 다이 온 패널(die-on-panel) 집적, 차세대 AI·포토닉스 시스템의 기반이 될 인터커넥트 기술을 발전시켜 나갈 것”이라고 말했다.

베시 엔지니어들은 혁신 파트너로서 EPIC 센터에서 어플라이드 팀과 협업하며 보다 폭넓은 인터커넥트 및 집적 기술 분야로 공동 개발을 가속화한다. 그동안 첨단 패키징은 후공정 조립 단계로 여겨졌지만, 이제 하이브리드 본딩과 패널 레벨 집적 같은 기술은 전공정 웨이퍼 제조와 동일한 재료공학 기술에 기반하고 있다.

프라부 라자(Prabu Raja) 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹 사장은 “첨단 패키징은 더 이상 후공정 조립 단계가 아니라 전공정 웨이퍼 제조 수준의 정밀도와 청정도가 요구되는 재료공학 과제”라며 “EPIC 센터와 같은 전공정 R&D 환경에서 베시 엔지니어들과 함께 기술을 개발함으로써, 이를 파편화된 개별 공정이 아닌 하나의 연결된 흐름으로 다룰 수 있다. 이를 통해 양사 고객은 공동 최적화된 솔루션을 더 일찍 활용하고 개발부터 대량 양산에 이르는 기간을 한층 단축할 수 있을 것”이라고 말했다.

확대된 협력은 AI 컴퓨팅 및 메모리 아키텍처를 위한 차세대 3D IC 스케일링, 로직 및 메모리 집적에 초점을 맞춘다. 예정된 R&D 프로그램은 다음과 같다.

· 양사의 기존 싱가포르 CoE를 기반으로 한 새로운 다이 투 웨이퍼 하이브리드 본딩 플랫폼
· 열압착 본딩(TCB) 및 관련 공정 생태계의 스케일링
· 새로운 다이 온 웨이퍼, 다이 온 다이, 다이 온 패널 집적 플랫폼
· 공동패키징광학(CPO)과 AI 시스템 스케일링을 지원하는 포토닉스 기반 인터커넥트 애플리케이션

실리콘밸리에 위치한 어플라이드의 신규 EPIC 센터는 50억달러[1] 규모로 미국 내 역대 최대 규모의 첨단 반도체 장비 및 공정 기술 R&D 투자다. 연내 가동 준비를 마칠 예정인 이 센터는 초기 연구 단계부터 대규모 양산까지 혁신 기술의 상용화 기간을 획기적으로 단축하도록 처음부터 설계됐다.

[1] 자본 지출은 고객 프로젝트 개시에 따라 점진적으로 약 50억달러 규모까지 확대될 예정이다.

Forward-Looking Statements

This press release contains forward-looking statements, including those regarding Applied‘s investment and growth strategies, the development of new materials and technologies, industry outlook and technology requirements, the plans and expectations for the EPIC Center, and other statements that are not historical facts. These statements and their underlying assumptions are subject to risks and uncertainties and are not guarantees of future performance. Factors that could cause actual results to differ materially from those expressed or implied by such statements include, without limitation: the demand for semiconductors and customers’ technology requirements; the ability to develop new and innovative technologies; the ability to obtain and protect intellectual property rights in key technologies; the ability to achieve the objectives of the EPIC Center; and other risks and uncertainties described in Applied‘s filings with the Securities and Exchange Commission, including Applied’s most recent Forms 10-K, 10-Q and 8-K. All forward-looking statements are based on management's current estimates, projections and assumptions, and Applied assumes no obligation to update them.

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